Компания Samsung объявила о начале производства 3-нанометровых чипов
Киев • УНН
КИЕВ. 2 июля. УНН. Компания Samsung объявила о начале производства чипов на базе 3-нанометрового технологического узла с применением транзисторов Gate-All-Around (GAA). Об этом говорится в сообщении компании, передает УНН.
Детали
Как ожидается, использование новых технологий повысит эффективность энергопотребления путем снижения уровня питающего напряжения, а также улучшит производительность работы микрочипов, поскольку они будут меньше, мощнее и эффективнее.
Их собираются использовать в высокопроизводительных вычислительных приложениях, а затем внедрят в смартфоны и другие гаджеты.
Как отмечается, эти технологии позволяют снизить энергопотребление на 45%, повысить производительность на 23% и уменьшить площадь поверхности микрочипа на 16% по сравнению с 5-нонаметровым.
Напомним
Австралийский регулятор по вопросам конкуренции заявил, что суд обязал местное подразделение Samsung Electronics заплатить штраф в размере 9,65 млн долларов за девять обманчивых объявлений о водонепроницаемости некоторых из их смартфонов.
