Новий пристрій являє собою мемрістор - тобто елемент пам'яті, який змінює свій опір залежно від електричного заряду, який через нього пройшов.
Мемрістори працюють швидше сучасної флеш-пам'яті, крім того, на них можна записати більше даних при тому ж розмірі пристрою.
Раніше вважалося, що дуже тонкі матеріали, товщина яких наближається до розміру атома, не можуть бути мемрісторами. Однак досліди групи вчених під керівництвом Деджі Акінванде з Техаського університету в Остіні показали, що це не так.
Два роки тому вони продемонстрували, що мемрісторні властивості може проявляти практично двовимірний матеріал на основі нітриду бору (h-BN) - його товщина становила лише третину нанометра, тобто він був в три мільярди разів менше метра. Такий пристрій вчені назвали атомрістором, оскільки його товщина порівнянна з розмірами одного атома.
У новому дослідженні Акінванде з колегами домігся ще більшого успіху. На основі одноатомного шару дисульфіду молібдену (MoS2) вони створили ще більш мініатюрний пристрій. Його площа становить всього один квадратний нанометр.
Тести пристрою показали, що щільність запису інформації на нього може становити близько 25 ТБ/см2. Це приблизно в 100 разів більше, ніж у сучасних флеш-накопичувачів. Вчені сподіваються, що якщо такі пристрої дійдуть до промислового виробництва, то стануть основою для нейроморфних обчислювальних систем, нових систем радіозв'язку і багато чого іншого.