“Если будем говорить с точки зрения экономики, то проект, например, по Киевском СИЗО для инвестора будет стоить (то есть построение нового СИЗО, снос старого здания и строительство нового здания вместо Киевского СИЗО на том участке) где 70-80 млн долларов, а по времени это займет где-то лет 7-8”, — рассказал заместитель министра юстиции.
Чиновник отметил, что в Украине такого внутреннего инвестора нет, который бы имел деньги в таком количестве и с таким горизонтом.
“Иностранные инвесторы тоже, учитывая и рейтинг страны, и то, что у нас идут боевые действия, то, скажем так, не все хотят вкладываться в такую рисковую ситуацию. Но, тем не менее, у нас идут переговоры и с китайцами, кстати. Сейчас начались какие-то более интересные отношения”, — подчеркнул он.
Кроме того, по словам Д.Чернишова, они начали переговоры с местными властями о переносе СИЗО за пределы городов.
“Мы начали переговоры с городскими администрациями. Кстати, мы и с Львовской администрацией провели переговоры, с Одесской. И наметили на ближайшее время с Киевской администрацией. Может, для них этот проект интересен”, - отметил он.
По словам чиновника, перенос и строительство нового СИЗО за пределами городов является большим социальным проектом.
“И если раньше у городов не было денег, то сегодня за счет децентрализации у городов есть деньги. Поэтому почему бы их не направить на строительство такого на самом деле важного объекта? При том, если мы говорим о СИЗО, то большинство людей, которые там находятся, они именно местные. Потому что в основном содержатся те люди, которые там и проживали”, - добавил он.
Напомним, в сентябре 2017 года министр юстиции Павел Петренко сообщал, что иностранные инвесторы отказались участвовать в конкурсе по строительству нового Киевского следственного изолятора в Коцюбинском Киевской области из-за негативной информационной кампании некоторых застройщиков.
Как сообщал УНН, в феврале 2017 года Министерство юстиции Украины объявило о начале сбора инвестиционных предложений по строительству новых Киевского и Львовского следственных изоляторов.